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Panasonic LNJ0F1C5FRA4 Manuel d'utilisateur

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SHD00639BEK
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Publication date: December 2008
1
Light Emitting Diodes
LNJ0F1C5FRA4
Hight Bright Surface Mounting Chip LED
Strobe Type
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter Symbol Rating Unit
Power dissipation P
D
103 mW
Forward current I
F
25 mA
Pulse forward current
*
I
FP
50 mA
Reverse current I
R
100 mA
Operating ambient temperature T
opr
–30 to +85
°C
Storage temperature T
stg
–40 to +100
°C
Note) *: The condition of I
FP
is duty 10%, Pulse width 1 msec.
Electro-Optical Characteristics T
a
= 25°C±3°C
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit
Luminous intensity I
O-20
I
F
= 20 mA / chip 1
350 1
800 mcd
Forward voltage V
F
I
F
= 20 mA / chip 3.0 3.4 4.0 V
Chromaticity coordinates
x I
F
= 20 mA / chip 0.280 0.320
y I
F
= 20 mA / chip 0.260 0.383
0
0
10
20
30
40
50
60
20 40 60 80 100
01.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 −20 20 40
60
80 100
10
1
3
5
10
30
50
100
30
50
100
300
500
1
000
20 2040 4060 6080 80100 100
1 3 5 10 30 50 100
0°
10°−10°
20°−20°
30°−30°
40°−40°
50°−50°
60°−60°
70°−70°
80°−80°
80°
60°
40°
20°
90°−90°
10
50
30
500
300
100
1
000
5
000
3
000
10
000
Y
X
Y
X
DC
IFP
Directive characteristics
Relative luminous intensity (%)
Ambient temperature T
a
(°C)
Ambient temperature T
a
(°C)
Forward current I
F
(mA)
Forward voltage V
F
(V)
Luminous intensity I
O
(mcd)
Relative luminous intensity (%)
Forward current I
F
(mA)
Forward current I
F
(mA)
I
O
I
F
I
F
V
F
I
F
T
a
Relative luminous intensity T
a
Lighting Color
White
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Résumé du contenu

Page 1 - LNJ0F1C5FRA4

SHD00639BEK This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Publication date: December 20081Light Emitting DiodesLNJ0F1C5FRA4Hight Brig

Page 2 - LLTLTN4GF100

SHD00639BEK This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).LNJ0F1C5FRA42 Package (Unit: mm) LLTLTN4GF100Pin name 1, 3: Cathode

Page 3

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